Díode làser acoblat a fibra VBG de 878,6 nm

Díode làser acoblat a fibra VBG de 20 W-170W 878,6 nm

Visió general:

Per a la longitud d'ona bloquejada, s'utilitza una reixa de Bragg de volum reflectant per resoldre el problema del bloqueig de la longitud d'ona làser de semiconductors i una amplada de línia estreta. Redueix la sensibilitat de la reixa a la temperatura i la vibració ambientals i ha aconseguit resultats notables en l'estabilització de la longitud d'ona i la vibració. compressió d'amplada de línia de làsers semiconductors d'alta potència. En funció de la selectivitat de l'angle i la longitud d'ona de la xarxa de Bragg de volum, les ones de llum emeses per cada unitat a la cavitat externa de la matriu làser es seleccionen i es retornen a les unitats adjacents per realitzar el bloqueig de fase de la cavitat externa de la matriu làser. , i l'amplada espectral es comprimeix a deu vegades l'original Primer, l'angle de divergència de camp llunyà corresponent és inferior a 1,5 mrad, la qual cosa millora molt la qualitat i l'estabilitat de la sortida del feix, de manera que s'utilitza àmpliament.

Característica:

Potència de 20W a 170W

Longitud d'ona bloquejada des del corrent llindar fins al rang complet del corrent de funcionament

FMWH＜0,5 nm

Llarga vida, alta eficiència de conversió,

Mida compacta i rendiment estable

Aplicació:

Fonts de bombeig per a làsers d'estat sòlid i làsers de picosegons d'estat sòlid.

Fitxa de dades:

Article No:FC8786WS150

Dibuix:

Etiquetes populars: Proveïdors de díodes làser acoblats amb fibra de 878,6 nm vbg, fabricants de la Xina, fàbrica, venda a l'engròs, fabricats a la Xina