30w 1064nm làser de díode acoblat amb fibra amb termistor PD
Visió de conjunt
Característiques:
Amb feix de feix, PD, funcions termistors
Tots els productes de la companyia tecnològica BrandNew ha superat la prova d’envelliment per assegurar la vida útil del producte .
Tecnologia de creixement de materials epitaxials d'alta qualitat:
Tecnologia de creixement de materials epitaxials d’alta qualitat: semiconductors làser Material epitaxial Material Creixement La tecnologia és el nucli del desenvolupament de làser semiconductor . Optimitza principalment la corba de dopatge per reduir el superposició entre el camp òptic i la regió fortament dopada, reduint així la pèrdua d’absorció de portadors lliures i millora la eficiència de conversió del dispositiu .}}}}}}}}}}
Aplicacions:
Espectroscòpia Raman
Metrologia
Bioinstrumentació
Sentint
Instrumentació analítica
Fitxa específica:
Element no .: fc1064dl30
|
Òptic |
Valor típic |
|
Longitud d'ona del centre λ |
1064 nm |
|
Tolerància a la longitud d’ona |
± 10nm |
|
Potència de sortida |
30W |
|
Amplada espectral FWHM |
6 nm |
|
Eficiència de pendent |
2.5W/A |
|
Apuntant làser |
|
|
Potència de sortida de fibra |
2,5MW |
|
Longitud d'ona central |
650 ± 10nm |
|
Tensió de funcionament |
5.0V |
|
Elèctric |
|
|
OPERIAL IOP actual |
11A |
|
Llindar actual ith |
0.9A |
|
VOP de tensió de funcionament |
7V |
|
Eficiència de conversió de potència |
35% |
|
PD corrent |
464UA |
|
Termistor |
|
|
RT (25 graus) |
10KΩ |
|
(-25 grau /+75 grau) |
3477±3% |
|
Fibra |
|
|
Radi de fibres de fibra |
75 milímetres |
|
Diàmetre del nucli de fibra |
200um |
|
Apertura numèrica de fibra |
0,22NA |
|
Longitud de fibra |
1M |
|
Connector de fibra |
SMA905 |
|
Tèrmic |
|
|
Temperatura de funcionament |
25 ~ 35 graus |
|
Temperatura d'emmagatzematge |
-20-70 grau |
|
Coeficient de temperatura de longitud d'ona |
-0.35 nm/ grau |
Dibuix
Etiquetes populars: 30W 1064Nm Díode acoblat làser amb proveïdors de termistors PD, fabricants de la Xina, fàbrica, a l'engròs, elaborats a la Xina