Els làsers amb làser de díode acoblat amb fibra són els làsers nous de més ràpid creixement i àmpliament utilitzats en els darrers anys. El seu desenvolupament és inseparable del desenvolupament de làsers de semiconductor. Debut del 1960 dels primers làsers de rubí. El 1962 van sortir els primers làsers semiconductors d’arsenur de gal·li homogenis d’unió. El 1963, Newman va proposar per primera vegada l’ús de semiconductors com a concepte de font de bomba làser d’estat sòlid. Amb l’augment de la potència de sortida LD, el 1968 Ross es va adonar per primera vegada de l’ús del làser Nd: YAG bombat amb làser de díode acoblat amb fibra GaAs. Per primera vegada el 1973, es van informar de làsers Nd: YAG amb bombes finals impulsades per LD que assenyalaven els avantatges del bombament amb bombes finals. Chesler i Singh ofereixen el model teòric del làser amb bombes finals en mode multi-transversal i mode transversal únic, i el llindar teòric de la bomba basat en la suposició d’una bomba uniforme és bàsicament coherent amb els resultats experimentals. El 1976, els làsers Nd: YAG amb díodes ultra-lluminosos van ser bombats a temperatura ambient per a un funcionament continu. Des dels anys vuitanta, el làser de semiconductors i el seu conjunt de treballs de recerca han fet un gran avenç, han promogut en gran mesura el desenvolupament de tecnologia i aplicacions de dispositius làser d’estat sòlid i han donat lloc a un renaixement integral dels làsers d’estat sòlid. Amb l’aparició de l’estructura dels pous quàntics i el creixement de la tecnologia de creixement dels cristalls, com la deposició de vapor químic orgànic metàl·lic (MOCVD) i l’epitaxi de feix molecular (MBE), el corrent llindar de LD es redueix òbviament, es millora significativament l’eficiència de conversió i la potència de sortida. Potència de sortida de matriu làser semiconductor senzilla millorada d'1W a 2W. Amb una única potència de sortida contínua LD de 100 a 200 MW.90 anys, la tecnologia de producció i el procés de producció de làser de díode acoblat amb fibra maduren gradualment, la vida, la fiabilitat ha millorat molt, cosa que el desenvolupament de DPL i l’aplicació de nous progressos són especialment importants. El 1992, el laboratori nacional Laurent-Rivermore dels Estats Units va desenvolupar amb èxit làsers bombats amb díodes de gran potència de classe quilowatt. El 1994, el Departament d'Energia dels Estats Units va anunciar l'aprovació del" National Ignition Facility" programa. 2001 Akiyama et al. S'ha utilitzat un làser Nd: YAG de tres vies amb bombes laterals per obtenir una sortida de làser de 5,4 kW amb una eficiència de conversió electroòptica del 22%. El 2002, l'empresa TRW dels Estats Units va desenvolupar una sortida de làser Nd: YAG de làser de díode acoblat amb fibra de 5,4 kW. El 2006, els Estats Units Nordisk van aconseguir amb èxit una sortida làser de 19 kW. En resum, DPL és el més dinàmic i prometedor dels làsers d’estat sòlid.
Com que el làser bombat amb díode té els avantatges d’una alta potència, una sortida de qualitat de feix alta, un efecte tèrmic petit, una alta eficiència i una estructura de dispositius compacta, es converteix en el dispositiu clau de la tecnologia de la informació. La seva àmplia gamma d'aplicacions, ampli rang de longitud d'ona, la velocitat de desenvolupament són altres tipus de làsers que no poden coincidir.
En l'actualitat, el camp dels làsers d'estat sòlid bombats amb díodes és molt extens, com ara camps militars, mèdics, industrials i altres.
L’interruptor conduït i el seu sistema de font d’activació com a font de pols d’alta potència ultra ràpida, amb aïllament òptic, el fons de l’aplicació és un dispositiu d’encesa d’arma, pot resistir eficaçment a les interferències electromagnètiques i millorar la fiabilitat; al mateix temps, com a font d’impulsos ultra-ràpids d’alta potència, interferència i confrontació, i les àrees tècniques corresponents.
Un grup de recerca estranger va utilitzar un complex sistema òptic per obtenir una sèrie de cables de corrent lineal a la superfície dels commutadors fotoconductors GaAs. L'interruptor de 1 cm de distància va ser activat per la llum làser del nivell de potència. Quan la tensió de polarització era de 60 kV, la quantitat de kA de nivell de corrent.
El treball de la tensió de biaix és inferior al grup d’investigació estranger de 1 ordre de magnitud, l’energia lluminosa del disparador és inferior als 3 ordres de magnitud estrangers, l’ús d’un sol làser comercial de díode acoblat per fibra per obtenir la magnitud kA del corrent alt . L’interruptor fotoconductor GaAs i el seu sistema d’activació amb tots els avantatges sòlids, de mida petita i de baix preu.
Obres d'innovació principalment per a:
(1) Commutador fotoconductor GaAs per a la font de llum de dispari amb làser de díode acoblat amb fibra, en lloc de l’esment tradicional d’un làser gran estat sòlid. Podeu obtenir una font d’impulsos de baix volum i de baix cost.
(2) en el disseny del disparador del commutador fotoconductor GaAs, disseny d'alta pressió, fent que el microenfocament en el disparador de llum feble, la càrrega de subohms a la magnitud kA del pols de corrent fort.
(3) utilitzar el model de circuit i la teoria del domini de la càrrega d’excitació òptica per explicar la forma d’ona del pols elèctric no apareix per raons del fenomen de bloqueig.