El làser de díode acoblat amb fibra s’utilitza àmpliament en diversos camps, com ara la mida petita, la bona qualitat del feix, la llarga vida útil i el rendiment estable. S’utilitzen principalment com a font de làsers de fibra i làsers d’estat sòlid. També es poden utilitzar directament en làser mèdic, materials com a revestiment, soldadura i altres camps. A causa de la influència dels làsers de fibra en la tendència de desenvolupament d'alta potència, els làsers semiconductors també estan desenvolupant alta potència i alta brillantor. Els làsers semiconductors d’alta brillantor tenen una densitat de potència òptica elevada i el feix de feix també és ideal per a làsers de fibra d’alta potència Font de bomba. En l’actualitat, l’estructura làser de semiconductor acoblat amb fibra es compon principalment de làsers d’acoblament d’un tub, làsers d’acoblament de diversos tubs, mini bar i sèries de barres / pila. Els làsers d’acoblament de diversos tubs es converteixen en la font principal de la bomba de làsers de fibra a causa de la seva alta fiabilitat.
L’estructura de múltiples tubs és la separació del feix làser semiconductor emès mitjançant la configuració, reordenat, combinat després de l’acoblament en una sola fibra, que pot millorar la potència de sortida del làser. Atès que el xip làser de semiconductor discret s’ha de muntar en un dissipador de calor amb una mida determinada, el làser de díode acoblat amb fibra si els feixos de sortida de la pluralitat de làsers semiconductors estan disposats i acoblats de forma directa directament, el volum del feix combinat sol ser limitat a causa de la limitació del volum de cada xip i del seu dissipador de calor Gran, és difícil obtenir una sortida d'acoblament de fibra de gran brillantor amb nucli petit. Per reduir la mida de l'espai de la biga combinada, hem de prendre certes mesures. Amb aquest objectiu, la investigació i desenvolupament independents de Kaipu Lin d’estructura d’acoblament multitubo mitjançant dissipador de calor d’escala, lent d’enfocament, fibra acoblada i una instal·lació única, el disseny òptic simplifica la complexitat de l’estructura; el làser de díode acoblat amb fibra redueix la mida dels components , millorant molt el semiconductor La potència de sortida del làser, tot garantint una temperatura de funcionament raonable del punt d'acoblament.
En l’acoblament de múltiples tubs abans del xip làser de semiconductor discret per al cribratge envellit, garantint així la fiabilitat de l’acoblament de diversos tubs. Característiques de fallada aleatòria d’un sol tub d’independents, en comparació amb Bar, sense efectes tèrmics d’interferència, la substitució d’un únic tub també va augmentar la seva durabilitat, amb un avantatge de cost elevat.
3 acoblaments de fibra
Per tal d’aconseguir una brillantor elevada, la potència elevada pot augmentar el nombre de làsers semiconductors simultanis d’un sol tub per garantir una potència de sortida superior, però el feix després de l’acoblament del feix en una sola fibra també ha de complir les tres condicions: (BPP, el producte del radi de la cintura del feix i del radi de l’angle de divergència) és més petit que el del feix làser. La segona és que el diàmetre del feix del feix és menor que el de la fibra. Producte de paràmetres de feix de fibra. el qual és
No obstant això, en aplicacions pràctiques, només l’àrea quadrada del centre de fibra és la regió disponible per al nucli amb un diàmetre del nucli de 200 μm i una obertura numèrica de 0,22, amb un valor BPP de 22 mm boig. El BPP màxim del feix làser semiconductor acoblat és: semiconductor de 9xxnm Es pren com a exemple les dades del feix làser que surt del xip únic del làser. El diàmetre de l’eix lent és de 95 μm i l’angle de divergència és de 10 ° (99% de l’energia). El paràmetre del feix és d’uns 8,3 mm mrad; Angle de divergència de 39 ° (99%), els paràmetres del feix d’uns 0,51 mm mrad. Mitjançant la simulació de programari, teòricament la fibra de 200μm / 0,22NA es pot acoblar a 28 feixos làser. En l'actualitat, després d'anys d'acumulació de tecnologia, els làsers semiconductors discrets d'acoblament màxim de làser de díode acoblat amb fibra de brillantor d'alta densitat Kaipu Lin 9xxnm fins a 20
En aquest document, s’introdueix una estructura d’acoblament multitub i un mètode de sortida làser d’alta brillantor. En el camp dels làsers semiconductors d’alta brillantor, la tecnologia d’acoblament de fibra multitub de làser de díode acoblat amb fibra s’utilitza àmpliament en làsers emissors de longitud d’ona, com ara làsers de 9xxnm, 793nm i 808nm, làsers i làsers de fibra dopada amb tuli i estat sòlid dopat amb neodimi làsers; Els diferents nivells de potència de 10W-200W poden correspondre a diversos modes de funcionament i requeriments de potència de les aplicacions de làser de fibra. En el futur, Kaiping aconseguirà un làser de díode acoblat amb fibra de més brillantor augmentant el feix de polarització, el feix de múltiples longituds d’ona, etc., proporcionant més productes i serveis per als usuaris de làser de fibra d’alta potència.