Els làsers làser làser de díode de pila vertical són els làsers nous de més ràpid creixement i àmpliament utilitzats en els darrers anys. El seu desenvolupament és inseparable del desenvolupament de làsers de semiconductor. Debut el 1960 del primer làser de rubí. El 1962 van sortir els primers làsers semiconductors d’arsenur de gal·li homogenis d’unió. El 1963, Newman va proposar per primera vegada l’ús de semiconductors com a concepte de font de bomba làser d’estat sòlid. Amb l’augment de la potència de sortida LD, el 1968 Ross es va adonar per primera vegada de l’ús de làser GaAs làser de díode de pila vertical bombat amb làser Nd: YAG. Per primera vegada el 1973, es van informar de làsers Nd: YAG amb bombes finals impulsades per LD que assenyalaven els avantatges del bombament amb bombes finals. Chesler i Singh ofereixen el model teòric del làser amb bombes finals en mode multi-transversal i mode transversal únic, i el llindar teòric de la bomba basat en la suposició d’una bomba uniforme és bàsicament coherent amb els resultats experimentals. El 1976, els làsers Nd: YAG amb làser de díode de pila vertical d'emissió ultra-lluminosa bombats al final funcionaven contínuament a temperatura ambient. Des dels anys vuitanta, el làser de semiconductors i el seu conjunt de treballs de recerca han fet un gran avenç, han promogut en gran mesura el desenvolupament de tecnologia i aplicacions de dispositius làser d’estat sòlid i han donat lloc a un renaixement integral dels làsers d’estat sòlid. Amb l’aparició de l’estructura dels pous quàntics i el creixement de la tecnologia de creixement dels cristalls, com la deposició de vapor químic orgànic metàl·lic (MOCVD) i l’epitaxi de feix molecular (MBE), el corrent llindar de LD es redueix òbviament, es millora significativament l’eficiència de conversió i la potència de sortida. Potència de sortida de matriu làser semiconductor senzilla millorada d'1W a 2W. Una sola potència de sortida contínua LD de 100 a 200 MW.90 anys, la tecnologia de producció i el procés de producció de làser de díode de pila vertical de làser maduren gradualment, la vida, la fiabilitat ha millorat considerablement, cosa que el desenvolupament i l’aplicació del nou progrés DPL són particularment importants. 1992 Estats Units Laurent - Laboratori Nacional Rivermore va desenvolupar amb èxit làsers bombats amb làser de díode de pila vertical de gran potència de classe quilowatt. El 1994, el Departament d'Energia dels Estats Units va anunciar l'aprovació del" National Ignition Facility" programa. 2001 Akiyama et al. S'ha utilitzat un làser Nd: YAG de tres vies amb bombes laterals per obtenir una sortida de làser de 5,4 kW amb una eficiència de conversió electroòptica del 22%. El 2002, la companyia nord-americana TRW va desenvolupar un làser de sortida de làser de diode de pila vertical de 5,4 kW de làser Nd: YAG. El 2006, els Estats Units Nordisk van aconseguir amb èxit una sortida làser de 19 kW. En resum, DPL és el més dinàmic i prometedor dels làsers d’estat sòlid.
Com que el làser bombat amb làser de díode de pila vertical té els avantatges d’una alta potència, una sortida de qualitat de feix alta, un efecte tèrmic reduït, una alta eficiència i una estructura de dispositius compacta, es converteix en el dispositiu clau de la tecnologia de la informació. La seva àmplia gamma d'aplicacions, ampli rang de longitud d'ona, la velocitat de desenvolupament són altres tipus de làsers que no poden coincidir.
Actualment, el camp dels làsers d’estat sòlid bombats amb làser de díode de pila vertical és molt extens, com ara camps militars, mèdics, industrials i altres.