Descripció
Fotodiode 900-2200nm per muntar làser de díode
Característiques:
- Interval d'espectre: 900-2200 nm
- Id. de tensió de ruptura inversa=100uA: 1,6 V
- Diàmetre de la superfície fotosensible: 1000um
- Corrent fosc Vr=0V: 0,03uA
Aplicacions:
- Experiments científics
- Recerca
- Experimentació humana
Especificació
Núm. d'article: TO850VC200
| Òptic | Valor típic |
| Interval d'espectre | 900-2200 nm |
| Responsabilitat Vr=0V λ=1550nm | 1.05A/W |
| Responsabilitat Vr=0V λ=2004nm | 1.2A/W |
| Id. de voltatge de ruptura inversa=100uA | 1.6V |
| Capacitat d'unió F=1MHz, Vr=0V | 420pF |
| Capacitat d'unió F=1MHz, Vr=0.1V | 360pF |
| Diàmetre de superfície fotosensible | 1000um |
| Elèctric | |
| Corrent fosc Vr=0V | 0,03 uA |
| Corrent fosc Vr=0.1V | 3,5 uA |
| Tensió de treball | -0.1~0V |
| Resistència de derivació Vr=10mV | 0.15M |
| Corrent invers | 1 mA |
| Corrent endavant | 1 mA |
| Tensió inversa | 0.1V |
| Tèrmica | |
| Temperatura de prova | 25 graus |
| Quantitat d'emissors de xip VCSEL | 48 |
Dibuix:
Etiquetes populars: Fotodiode 900nm 2200nm TO Mount Diode làser proveïdors, fabricants Xina, fàbrica, venda a l'engròs, fet a la Xina