Díode làser de 200 mW 850 nm VCSEL TO

Díode làser VCSEL TO56 multimode de 200 mW 850 nm

Característiques principals:

VCSEL multimode

Baixa deriva de longitud d'ona

Tecnologia d'aïllament d'òxids

Alta fiabilitat

Fàcil de col·limar

Avantatge:

Sensibilitat a la temperatura de la longitud d'ona: la longitud d'ona d'emissió en el díode làser VCSEL TO de 200 mW 850 nm és aproximadament 5 vegades menys sensible a les variacions de temperatura que en els emissors-de vora. La raó és que en els VCSEL, la longitud d'ona de làser es defineix pel gruix òptic de la cavitat en mode-longitudinal-longitudinal{-i que la dependència de la temperatura d'aquest gruix òptic és mínima (l'índex de refracció i el gruix físic de la cavitat depenen feblement de la temperatura). D'altra banda, la longitud d'ona de làser als-emissors de vora es defineix per la longitud d'ona de guany-pic, que depèn molt més de la temperatura. Com a conseqüència, l'amplada de línia espectral per a matrius d'alta-potència (on els gradients d'escalfament i temperatura poden ser significatius) és molt més estreta en matrius VCSEL que en matrius-emissors- de vora (piles-de barres). A més, amb un canvi de temperatura de 20 oC, la longitud d'ona d'emissió en un VCSEL variarà en menys d'1,4 nm (en comparació amb ~7 nm per als emissors{20}}de vora).

Aplicacions:

sensors 3D

Lidars

Il·luminació IR

Aplicació mèdica

Sensors de proximitat

Aplicació mèdica

Especificacions:

Item núm. TO850VC02

Nom de l'element: 200mW 850nm VCSEL TO díode làser

Gràfic LIV i longitud d'ona

Dibuix del paquet:

Etiquetes populars: 200mw 850nm vcsel a proveïdors de díodes làser, fabricants Xina, fàbrica, venda a l'engròs, fabricats a la Xina